Бельгийские учёные помогут уменьшить масштаб nand-флэш ниже 20 нм

      Комментарии к записи Бельгийские учёные помогут уменьшить масштаб nand-флэш ниже 20 нм отключены

Бельгийские учёные помогут уменьшить масштаб nand-флэш ниже 20 нм

Бельгийский исследовательский центр IMEC на протяжении майской конференции International Memory Workshop 2013 доказал, что старуха Европа ещё что-то осознаёт в полупроводниках. Учёные из Ветхого Света сделали доклад, на протяжении которого поведали о возможности выпуска надёжной флэш-памяти с нормами менее 20 нм.

Главная неприятность с выпуском «мельчающих» флэш-микросхем в том, что ячейка для удержания заряда делается так мелка, а изолирующий слой так узок и мелок по площади, что рабочие чёрта флэш-памяти начинают скоро ухудшаться. Это ведёт как к понижению циклов перезаписи, так и к утрата данных, к примеру, при внекомнатных температурах окружающей среды.

Эксперты видят выход в создании трёхслойного диэлектрика между плавающим и управляющим затвором транзистора ячейки.

Рис. 1.

В качестве изолирующей прослойки предложена комбинация из слоя оксида алюминия (Al2O3) с низким значением диэлектрической константы (low-k) и двух «обёрток» из слоёв в комбинации гафния и оксида алюминия (HfAlO), каковые характеризуются высоким значением диэлектрической постоянной (high-k). Слой high-k/low-k/high-k-изолятора, согласно заявлению представителей IMEC,

«показывает отличные результаты по удержанию и надёжности заряда».

К сожалению, количественные характеристики разработки остались за кадром новости. Для простой флэш-памяти, напомним, время удержания в среднем образовывает 10 лет, а число допустимых циклов перезаписи пытается к 10 в 5-й степени.

Учёные уверены, что трёхслойный диэлектрик разрешит уменьшать техпроцесс производства NAND-флэш микросхем на базе планарных транзисторов ниже 20 нм без ухудшения их рабочих черт. Действительно, у нас имеется кое-какие сомнения в совместимости 25-нм изолирующего слоя (10–5–10 нм) с 14-нм и 10-нм затворами транзисторов. Как-то они не весьма соответствуют друг другу.

Быть может, толщину изолятора также возможно будет уменьшать, но на эту тему подробностей нет.

iPhone 5 увеличение объема памяти


Интересные записи на сайте:

Подобранные по важим запросам, статьи по теме: