Можно ли найти отдельный атом кремния в графене?

      Комментарии к записи Можно ли найти отдельный атом кремния в графене? отключены

Можно ли найти отдельный атом кремния в графене?

Сочетание сканирующей электронной микроскопии и спектроскопических методик с ядерным разрешением разрешила американским исследователям найти отдельные атомы кремния в легированном странице графена.

Применение новой методики разрешает выяснить, что атомы кремния, которые связаны с четырьмя атомами углерода, характеризуются плоской геометрией и будут в состоянии sp2d-гибридизацией, тогда как для трехкоординированного атома кремния характерна sp3-гибридизация.

Эти опытов согласуются с результатами теоретического моделирования двумерных жёстких совокупностей и смогут стать базой способа для изучения единичных загрязнений в графене и родственном ему материалах.

Стефан Пенникук(Stephen Pennycook) с сотрудниками поясняет, что экспериментальное изучение локальных характеристик и структур связи на ядерном уровне есть значительным достижением в химии материалов. Изучение того, как загрязнения и легирующие добавки может посоветовать ответственную данные о методах модификации и соответствующего технологического применения широкого последовательности полупроводниковых материалов, включая графен.

Исследователь выделяет, что для изучения подобных систем много раз употреблялись разные экспериментальные способы наровне с теорией функционала плотности (DFT). Но, к сожалению, способы электронной микроскопии, использовавшиеся сейчас, не разрешали исследователям определять тип связи и валентное состояние для отдельных атомов в структуре двумерных жёстких материалов – будь они загрязнениями либо легирующими добавками.

Для решения данной неприятности исследователи скомбинировали спектроскопию утраты электрона ядерного разрешения и способ микроскопического изображения посредством кольцевого чёрного поля, использующуюся в сканирующей просвечивающей электронной микроскопии.

Исследователи показали успешность данной комбинации, изучив свойства одного из самый распространенны типов загрязнений в графене, взятом в посредством высокотемпературного осаждения паров, кремния.

Кремниевые включения появляются в графене по причине того, что данный элемент входит в состав кварцевых компонентов оборудования, использующегося для высокотемпературного осаждения паров. Кремний может оказывать влияние на особенности графена, также в рамках возможностей интеграции электроники из графена с полупроводниковыми совокупностями на базе кремния нужно узнать, как ведет себя данный элемент в двумерной матрице из атомов углерода.

Результаты изучения разрешают не только выяснить, как ведет себя кремний (либо другие включения) в ядерной кристаллической решетке графена, но и показывают, что новая комбинированная методика возможно использована и для изучения вторых двумерных материалов либо кроме того отдельных молекул.

Уте Кайзер (Ute Kaiser) из Университета Ульма высоко оценивает потенциальные возможности, каковые открывает новое изучение. Он отмечает, что

исследователи выполнили хорошую работу, предстоящим развитием которой возможно определение типов химического связывания в материалах аналогичного рода.

Поведение фуллерена на графене с подложкой


Интересные записи на сайте:

Подобранные по важим запросам, статьи по теме: