Рутениевые подложки для графена

      Комментарии к записи Рутениевые подложки для графена отключены

Рутениевые подложки для графена

Неповторимые электронные характеристики графена (монослоя атомов углерода) делают его перспективным материалом для применения в наноэлектронике, квантовой информатике и пр. Исходя из этого поднимается вопрос о производстве графена много.

Трудоемкая и не отличающаяся воспроизводимостью методика микромеханического отщепления графеновых слоев от графита тут не годится. Альтернативой есть эпитаксиальный рост графена на подложке, к примеру на 6H-SiC либо 4H-SiC [1]. Но тут появляются неприятности, которые связаны с малыми поперечными размерами графеновых областей и их неоднородностью по толщине.

При применении подложек из переходных металлов сотрудничество атомов углерода с подложкой ведет к значительному трансформации электронной структуры графена и мешает его отделению для переноса на другие подложки [2].

Схематическое изображение фрагментов подложки Ru и осажденных на нее монослоя графена и двуслойного графена

Новая разработка эпитаксии графена на Ru(0001) создана в Brookhaven National Laboratory (США) [3]. Не смотря на то, что первый графеновый слой вправду сильно взаимодействует с подложкой, но уже второй слой (см. рис.) с ней фактически не связан. Характерные размеры монокристаллических графеновых областей превышают 200 мкм, что в полной мере подходит для большинства практических применений.

Создатель – Л. Опенов

  • 1. W.A. de Heer et al., Solid State Commun. 143, 92 (2007)
  • 2. S. Marchini et al., Phys. Rev. B 76, 075429 (2007)
  • 3. P.W.Sutter et al., Nature Mater. 7, 406 (2008)

Размещено в NanoWeek,

  • Прошлая статья: Нанотехнологии в области волочильного инструмента
  • Следующая статья: Что такое наномедицина?

Подложка из карбида кремния


Интересные записи на сайте:

Подобранные по важим запросам, статьи по теме: