Создан чип многослойной флэш-памяти емкостью 32 гбит

      Комментарии к записи Создан чип многослойной флэш-памяти емкостью 32 гбит отключены

Создан чип многослойной флэш-памяти емкостью 32 гбит

Toshiba Corp. представила многослойную флэш-память с двумя битами на ячейку типа P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable).

Компанией был создан прототип 32-Гбит чипа, складывающийся из 16 слоев ячеек памяти, изготовленных по 60-нм техпроцессу, что соответствует их матричной технологии производства. Он имеет размеры 10,11 х 15,52 мм с действенной площадью ячейки на любой бит 0,00082 мкм2, что меньше, чем у 32-нм флэш-памяти, запускаемой в производство в 2009 году.

P-BiCS есть улучшенной версией BiCS, трехмерная многослойная структура модуля флэш-памяти разрабатывалась Toshiba с 2007 года. BiCS применяет разработку стеков ячеек памяти в многоуровневой структуре, меняющей укладку управляющего электрода в виде промежуточного диэлектрика и плёнки, а в отверстие, проходящее через все эти слои, помещается поликристаллический кремниевый канал.

Наряду с этим компания поменяла форму NAND-цепочек для обеспечения многоуровневого его контроля и процесса на уровне массива. В BiCS ячейки соединены в прямолинейную NAND-цепочку, а для P-BiCS была выбрана U-образная форма. Помимо этого, существуют два важнейших успехи в их структуре.

Первое, потому, что уровень качества туннельно-изолирующей пленки повышено, была улучшена свойство к хранению данных, реализуя многоуровневый процесс. Уровень качества туннельно-изолирующей пленки улучшилось благодаря тому, что отпала необходимость ее удаления с нижней стороны сквозного отверстия. В BiCS туннельно-изолирующая пленка, формируемая на стороне сквозного отверстия, повреждается на протяжении этого процесса, довольно часто ухудшая запоминающие особенности.

Toshiba представила способ понижения возможности повреждения методом смены материала туннельно-изолирующей пленки с оксида кремния на нитрид кремния. Но до тех пор пока компания не имеет возможности обеспечивать достаточных запоминающих особенностей при применении нитрида кремния, заявляют ее представители.

Второе, потому, что свойства линейного источника и селекторного транзистора, применяемых для записи и чтения данных, улучшены, рабочая характеристика на уровне массива стала более твёрдой. В BiCS, которая имеет прямолинейную форму цепочки, линейный источник и селекторный транзистор расположены на нижней части цепочки. Иначе, в P-BiCS, чьи цепочки имеют U-образную форму, они смогут быть сосредоточены в конце цепочки.

Исходя из этого, в то время, когда цепочка формируется, температура порядка 1 тыс. °С не прикладывается к селекторному транзистору либо линейному источнику. В следствии закрывающие особенности селекторного транзистора постоянно совершенствуются, уменьшая число неточностей чтения.

В виду того, что железные материалы смогут использоваться для линейного источника, скорость записи возможно выше, чем у BiCS. BiCS применяет диффузионный слой, что пытается к высокому сопротивлению, как линейный источник. В то время, когда сопротивление линейного источника высоко, колебание порогового напряжения делается большим в этом массиве, что понижает скорость записи.

Несколько разработчиков P-BiCS собирается организовать разработку серийного производства для многослойного модуля флэш-памяти в течение двух-трех лет в качестве меры по высокой интеграции флэш-модуля без применения микрообработки. И P-BiCS выглядит одним из основных кандидатов для осуществления данной цели.

«Для предстоящего понижения издержек требуется еще один прорыв, в частности, в способе укладки слоев», — говорит Хидеаки Аочи (Hideaki Aochi), ведущий эксперт Отделения разработок передовых запоминающих устройств (Advanced Memory Device Technology Dept) и разработки и Центра исследований полупроводников (Center for Semiconductor Research Development) Toshiba Corp. К примеру, на данный момент отверстие может проходить в один момент через 8 уровней. А 16 уровней реализуются совмещением двух восьмислойных модулей.

В будущем Toshiba собирается создать методику получения сходу 16 уровней и более.

2 сим карты и карта памяти в один слот


Интересные записи на сайте:

Подобранные по важим запросам, статьи по теме: