Временная отставка эуф-литографии

      Комментарии к записи Временная отставка эуф-литографии отключены

Временная отставка эуф-литографии

В ситуации вероятной задержки с ЭУФ-литографией ведущие компании-поставщики литографического оборудования ASML (Veldhoven, Голландия), в один раз и Nikon (обе – Япония) производят перерасмотрение собственные дорожные карты, выдвигая вперед для 32– и 22-нм разработок установки 193-нм иммерсионной литографии с двойным экспонированием рисунка.

На конференции Semicon West, проходившей 15–17 июля с.г. в Сан-Франциско, голландская IMEC и японская JSR Corp. завладели вниманием аудитории, демонстрируя ролик, воображающий новый подход к способу двойного экспонирования, что включает т.н. процесс «подмораживания» первого проэкспонированного слоя. Данный процесс разрешает сократить число операций, исключив дополнительное травление для проявления рисунка. IMEC на данный момент передает эту разработку компании ASML Holding NV для реализации его посредством 193-нм иммерсионной литографической установки данной компании – XT:1950i.

Существует точка зрения, что ЭУФ «созреет» лишь ко времени, в то время, когда промышленность приступит к 16-нм технологии. Это указывает, что для 32– а также 22-нм технологических этапов чипмейкеры должны обратиться к 193-нм иммерсионной литографии, используя двойное экспонирование рисунка критических (т.е. содержащих 32– и 22-нм элементы) слоев.

Nikon Corp. (Токио) в начале с.г. объявила, что разрабатывает два типа 193-нм иммерсионных сканнеров для двойного экспонирования – S611C (ранняя версия для исследовательских целей) и S620D (усовершенствованная версия для 45– и 32-нм технологии с производительностью 180 пластин в час готовься к поставкам в 2009 г.).

В конце 2007 г. Canon Inc. (Токио) уже вступила на рынок со своей 193-нм иммерсионной установкой – AS7, которую собирается усовершенствовать для применения в операциях с двойным экспонированием при производительности до 200 пластин в час.

Компания ASML кроме этого объявила разработку новой модели 193-нм иммерсионной установки – Twinscan XT:1950i с увеличенной производительностью (до 148 пластин в час) в сравнении с текущей моделью XT: 1900i. Установка оптимизирована для массового производства 38-нм запоминающих схем и 32-нм логических схем с одной операцией экспонирования.

На данный момент ASML собирается оптимизировать собственные установки, ориентируясь на новый процесс, созданный совместно голландской IMEC и японской химической компанией JSR. В большинстве случаев двойное экспонирование предполагает два этапа травления рисунка критического слоя – «экспонирование-травление-экспонирование-травление».

В новом подходе IMEC и JSR употребляется подход – «экспонирование – «подмораживание» (стабилизация) рисунка первого фоторезистивного слоя – новое экспонирование – травление». Стабилизация рисунка в первом слое резиста достигается нанесением особого раствора, созданного JSR. Данный же слой мешает сотрудничеству первого и второго фоторезистивных слоев.

Новый подход протестирован на 32-нм рисунке.

Размещено в NanoWeek,

  • Прошлая статья: Неповторимый нанопозиционер на базе результата магнитострикции
  • Следующая статья: Обуздаем «серую слизь»!

Part 3 — Lord Jim Audiobook by Joseph Conrad (Chs 13-19)


Интересные записи на сайте:

Подобранные по важим запросам, статьи по теме: